Mintakészítés

Eszközök

  • Magnetronos porlasztás
  • Atomiréteg leválasztás (ALD, PEALD)
  • Vákuumpárologtatás

 

Atomiréteg leválasztás (ALD, PEALD)

Az atomi rétegleválasztás (ALD) egy vékonyfilm készítési módszer, amely gáz fázisú kémiai folyamatok szekvenciális alkalmazásán alapul. A legtöbb ALD reakció két vegyi anyagot használ, melyekre általában prekurzorként hivatkoznak. Ezek a prekurzorok az anyag felületével, egyenként, szekvenciálisan reagálnak, önkorlátozó módon. Szemben a CVD-vel (chemical vapor deposition) a prekurzorok soha nincsenek jelen egyidejűleg a reaktorban, hanem egymást követő, nem-átfedő impulzusok sorozatában kerülnek a reakciókamrába. Valamennyi ilyen impulzusban a prekurzor molekulák reakcióba lépnek a felülettel, de a reakció befejeződik, ha a felszínen minden reaktív hely betelítődik, azaz a reakció önkorlátozó. Következésképpen, az egyetlen impulzus  (egy úgynevezett ALD ciklus) során a felületre leválasztott maximális mennyiségű anyagot a prekurzor és a prekurzor-felület kölcsönhatásának természete határozza meg. A ciklusok számának változtatásával nagy pontossággal (gyakorlatilag atomi rétegenként) lehet tetszőleges bonyolultságú és nagyságú  felületeket bevonni.

Egy Beneq TSF 200 típusú ALD rendszerrel rendelkezünk, mely folyadék és gáz prekurzorcsatornákkal, valamint plazma egységgel  rendelkezik. A jelenleg elérhető prekurzorok: TMA, DEZ és TiCl4, melyekkel Al2O3, ZnO és TiO2 gyártását tudjuk elvégezni termikus és plazma segített folyamattal is.

Kapcsolat: Dr. Erdélyi Zoltán, Dr. Parditka Bence